企业简介
上海宏力半导体制造有限公司 main business:集成电路有关的硅片制造、针测、包装及测试，集成电路有关的开发、设计、光掩膜制作、制造、测试、封装等全系列服务，销售自产产品（涉及许可经营的凭许可证经营）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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上海宏力半导体制造有限公司的工商信息
- 310000400253443
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(台港澳法人独资)
- 2000年12月20日
- 傅文彪
- 90000.000000
- 2000年12月20日 至 2050年12月19日
- 上海市工商局
- 2000年12月20日
- 上海市浦东新区张江高科技园区
- 集成电路有关的硅片制造、针测、包装及测试，集成电路有关的开发、设计、光掩膜制作、制造、测试、封装等全系列服务，销售自产产品。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海宏力半导体制造有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN1630023A | 一种半导体热工艺的水冷装置 | 2005.06.22 | 本发明提供一种半导体热工艺的水冷装置，用两条供应输送管与两条回收输送管分别连接于两个进行半导体热工艺 |
| 2 | CN1787205A | 可应用自动对准金属硅化物掩膜式只读存储器的制造方法 | 2006.06.14 | 本发明提供一种可应用自动对准金属硅化物掩膜式只读存储器的制造方法，它是面对日益需求增加的逻辑区域运作 |
| 3 | CN101656239A | 一种降低寄生电容的键合焊盘及其制备方法 | 2010.02.24 | 一种降低寄生电容的键合焊盘及其制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明提供的键合焊盘包括焊盘金属层、 |
| 4 | CN101656268A | 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法 | 2010.02.24 | 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，所述金属氧化物半导体场效应晶体管包括半导体衬 |
| 5 | CN101599420A | 晶圆清洗装置 | 2009.12.09 | 本发明公开一种晶圆清洗装置，该晶圆清洗装置包括一湿法清洗控制台、一自动压力调节器以及一压力调节控制模 |
| 6 | CN1786105A | 有机电激发光材料及其电激发光装置 | 2006.06.14 | 本发明提供一种有机电激发光材料及其电激发光装置，它为一种具有下式的结构的有机电激发光材料，以及一种使 |
| 7 | CN1629852A | 一种半导体市场开发与资源管理方法 | 2005.06.22 | 本发明系提出一种半导体市场开发与资源管理方法，其主要利用收集产业市场数据，尤其针对半导体新兴企业的部 |
| 8 | CN101459138A | 掩膜只读存储器的制造方法 | 2009.06.17 | 本发明揭露了一种掩膜只读存储器的制造方法，包括：提供定义有存储单元区和外围电路区的半导体衬底；于半导 |
| 9 | CN1327503C | 增进浅槽隔离结构高度均匀性的方法 | 2007.07.18 | 本发明提供了一种增进浅槽隔离结构高度均匀性的方法，它是在移除位于浅槽外的氧化物层时，在有源区域上的氧 |
| 10 | CN101599435A | 单层多晶硅HBT非本征基区的掺杂方法 | 2009.12.09 | 本发明公开了一种单层多晶硅HBT非本征基区的掺杂方法，包括以下步骤：(1)在衬底上制备浅槽隔离区；( |
| 11 | CN1881538A | 用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法 | 2006.12.20 | 本发明提供一种用以改善硅片表面金属离子污染的清洗方法，它通过在去离子水注入管路上安装一离子交换过滤器 |
| 12 | CN1787196A | 研磨去除率的实时测量方法 | 2006.06.14 | 一种研磨去除率的实时测量方法，适用于一欲研磨的样品，其具有一已知折射率的一介电层表面。当研磨进行时， |
| 13 | CN101339949A | 编程电压控制的复位闪存 | 2009.01.07 | 一种编程电压控制的复位闪存，其包括：第一交界区域和第二交界区域，位于基底的两端，第三交界区域，位于基 |
| 14 | CN100418200C | 源极/漏极离子掺杂方法 | 2008.09.10 | 本发明提供一种源极/漏极离子掺杂方法，它利用先于半导体基底上形成栅栅极结构与栅栅极间隙壁，接着接着利 |
| 15 | CN2687841Y | 汽化炉 | 2005.03.23 | 本实用新型提供一种汽化炉，其包含一开口尺寸较底部尺寸小而呈现上窄下宽的炉体，另搭配一位于炉体外周围的 |
| 16 | CN1292822C | 应用在清洗液循环系统中可延长过滤器寿命的清洗装置 | 2007.01.03 | 本发明提供一种应用在清洗液循环系统中可延长过滤器寿命的清洗装置，它将此清洗装置装设在一清洗液循环系统 |
| 17 | CN101656226A | 一种形成浅沟槽隔离结构的方法 | 2010.02.24 | 一种形成浅沟槽隔离结构的方法，属于半导体制造技术领域。本发明提供的方法，通过在垫氧化层和腐蚀阻挡层之 |
| 18 | CN1327490C | 用于制造自行对准接触窗结构的方法 | 2007.07.18 | 本发明提供一种用于制造自行对准接触窗结构的方法，其在一半导体基底上具有至少二导电结构，所述导电结构位 |
| 19 | CN101644889A | 用于提高焦深的光刻散射条及其制造方法 | 2010.02.10 | 本发明提出一种用于提高焦深的光刻散射条，包括：玻璃基底；多条不完全透明层，具有一定间隔设置在所述玻璃 |
| 20 | CN1787182A | 可减少反应腔室沉积物的方法 | 2006.06.14 | 本发明提供一种可减少反应腔室沉积物的方法，适用在反应腔室内进行的刻蚀工艺，其包括以下步骤，首先，在反 |
| 21 | CN101635310A | 一种多阈值高压MOSFET器件 | 2010.01.27 | 本发明提供一种多阈值高压MOSFET器件，属于金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。多阈值高压MOS |
| 22 | CN101635311A | 一种多阈值场MOSFET和多阈值场MOSFET组 | 2010.01.27 | 一种多阈值场MOSFET和多阈值场MOSFET组，属于金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。多阈值场 |
| 23 | CN101599460A | 一种SRAM双位单元布线方法 | 2009.12.09 | 本发明揭露了一种SRAM双位单元布线方法，通过位线BL和BLb以及电源线Vss和Vdd沿垂直方向使用 |
| 24 | CN1190847C | 集成电路的内建电感及利用深沟渠阻断寄生电流的结构 | 2005.02.23 | 一种在集成电路内利用内建电感元件阻断寄生电流的元件结构，将侧面形成如栅状结构的相互平行的深沟渠电容元 |
| 25 | CN1259697C | 形成凹槽栅极轮廓的方法 | 2006.06.14 | 本发明提供一种形成凹槽栅极轮廓的方法，其是在一基底表面形成一垫氧化层与多晶硅层的栅极堆栈结构后，进行 |
| 26 | CN101261980A | 半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构 | 2008.09.10 | 本发明涉及一种半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，包括P型半导体衬底、该衬底表面的N+注入 |
| 27 | CN101634546A | 一种CDSEM机台的校准方法 | 2010.01.27 | 一种CDSEM机台的校准方法，属于半导体制造工艺设备技术领域。该发明提供的CDSEM机台的校准方法， |
| 28 | CN101634806A | 一种细线宽硅化物阻挡层图案形成方法 | 2010.01.27 | 本发明涉及了一种细线宽硅化物阻挡层图案形成方法，通过MUV光刻形成MUV光刻胶图形后，结合干法刻蚀对 |
| 29 | CN1259703C | 改善硅外延层中晶格缺陷的半导体组件制造方法 | 2006.06.14 | 本发明公开一种改善硅外延层中晶格缺陷的半导体组件制造方法，其是在一半导体基中形成隔离区域、栅极结构、 |
| 30 | CN101599493A | 一种基于纳米晶的非挥发性存储器 | 2009.12.09 | 本发明提供了一种基于纳米晶的非挥发性存储器。所述基于纳米晶的非挥发性存储器包括一个有源区，所述有源区 |
| 31 | CN100449297C | 判断无尘室是否有有机碳化污染物的方法 | 2009.01.07 | 本发明提供一种判断无尘室是否有有机碳化污染物的方法，它利用将圆片放在无尘室中一特定时间后，测量圆片表 |
| 32 | CN1629602A | 一种检测热垫板倾斜状态的方法 | 2005.06.22 | 本发明提供一种检测热垫板倾斜状态的方法，先选定一种较敏感的光阻剂，将其涂抹在一个硅片上，将硅片放在一 |
| 33 | CN1628935A | 一种高压研磨器具 | 2005.06.22 | 本发明提供一种高压研磨器具及其使用方法，利用一种具有高压喷嘴的整理器喷出溶液对研磨垫进行调节，避免了 |
| 34 | CN1787320A | 静电放电保护装置 | 2006.06.14 | 本发明提供一种静电放电保护装置，用于保护具有一正电压输出端与一负电压输出端的一内部电路，其包含两个金 |
| 35 | CN1787176A | 可控制栅极结构长度的刻蚀工艺 | 2006.06.14 | 本发明涉及一种可控制栅极结构长度的刻蚀工艺，它是利用硬式掩膜层(hard mask)，来提高对多晶硅 |
| 36 | CN101261939A | ICP等离子体反应器中控制硅槽和二氧化硅厚度的方法 | 2008.09.10 | 本发明涉及一种ICP等离子体反应器中控制硅槽和二氧化硅厚度的方法，将半导体晶圆上的多晶硅栅极进行光阻 |
| 37 | CN1787204A | 能改善漏电流与崩溃的浅沟渠隔离结构工艺 | 2006.06.14 | 本发明提供一种能改善漏电流与崩溃的浅沟渠隔离结构工艺，它是对已完成浅沟渠刻蚀工艺的半导体基底进行高温 |
| 38 | CN101339922A | 一次性可编程器件的制造方法 | 2009.01.07 | 本发明提供一种一次性可编程器件的制造方法，包括以下步骤，首先，提供具有表面区域的衬底，并在衬底的表面 |
| 39 | CN101655882A | 基于统计模型最差情况的建模方法 | 2010.02.24 | 本发明提出一种半导体设计仿真领域中基于统计模型的最差情况建模方法，包括下列步骤：测试器件的特性建立被 |
| 40 | CN101635273A | 一种钨栓塞的制备方法 | 2010.01.27 | 一种钨栓塞的制备方法，属于半导体制造技术领域。在制备方法过程中，包括通过对包括第一空洞的钨金属进行回 |
| 41 | CN101635259A | 功率金属氧化物半导体结终端结构的制作工艺 | 2010.01.27 | 本发明提出一种功率金属氧化物半导体结终端结构的制作工艺，包括以下步骤：在晶片表面形成垫氧化层；在垫氧 |
| 42 | CN101655669A | 一种厚光阻的多重曝光方法 | 2010.02.24 | 本发明提供一种用于厚光阻的多重曝光方法，属于光刻技术领域。本发明曝光方法中，通过N(N为大于或等于2 |
| 43 | CN1629853A | 一种增加企业联盟或合作成功的方法 | 2005.06.22 | 一种增加企业联盟或合作成功的方法，收集若干目标单位的基本数据与新闻数据根据上述基本数据，将目标单位分 |
| 44 | CN1259702C | 利用侧壁聚合物栅极结构形成轻掺杂漏极的方法 | 2006.06.14 | 本发明是提供一种利用侧壁聚合物栅极结构形成轻掺杂漏极的方法，其是在一基底表面形成一栅氧化层与多晶硅栅 |
| 45 | CN1787173A | 沟槽式电容器及其制造工艺 | 2006.06.14 | 本发明提供一种沟槽式电容器及其制造工艺，它利用在内电极层外形成一粗糙多晶硅层，接着，再形成一介电层覆 |
| 46 | CN1787189A | 双镶嵌工艺中的金属表面处理方法 | 2006.06.14 | 本发明提供一种双镶嵌工艺中的金属表面处理方法，应用在一双镶嵌(dual damascene)半导体结 |
| 47 | CN101635292A | 用于测量栅介质层的电学厚度的接触焊盘及其测量结构 | 2010.01.27 | 本发明提供一种用于测量栅介质层的电学厚度的接触焊盘及其测量结构，属于半导体制造技术领域。本发明提供的 |
| 48 | CN101599431A | 掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法 | 2009.12.09 | 本发明提出一种掩模刻蚀制程中减少多晶硅损失的方法，应用于闪存器件的浮栅制作，该方法包括下列步骤：提供 |
| 49 | CN1700441A | 侧壁具有缓冲层的铜双镶嵌结构的制造方法 | 2005.11.23 | 本发明提供一种侧壁具有缓冲层的铜双镶嵌结构的制造方法，它是在完成沟槽与中介窗的刻蚀工艺后，在半导体基 |
| 50 | CN101656272A | 一种肖特基二极管及其制备方法 | 2010.02.24 | 一种肖特基二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明提供的肖特基二极管包括肖特基金属电极和第二导 |
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